Brittle-ductile transition mechanism during grinding 4H-SiC wafer considering laminated structure

发布时间:2024年12月27日

Brittle-ductile transition mechanism during grinding 4H-SiC wafer considering laminated structure

tyc522cc太阳成集团(中国区)有限公司 - Grand Lisboa Macau 版权所有 ©2018

通讯地址：湖南长沙岳麓山   邮编：410082   行政办：0731-88822825  教学办：0731-88822826  学工办：0731-88823120  

仪器共享平台意见反馈电话：0731-88821252   邮箱：345814333@qq.com